山西“科技新锐”揭榜！中科潞安硬核出圈-山西中科潞安紫外光电科技有限公司-MOCVD-外延片-芯片

text-white p_btitle">

山西“科技新锐”揭榜！中科潞安硬核出圈

发布时间：

2025-08-15

作者：

来源：

摘要

近日，山西省民营经济发展局正式公示2025年度民营科技新锐企业名单，中科潞安荣耀登榜！

近日，山西省民营经济发展局正式公示2025年度民营科技新锐企业名单，中科潞安荣耀登榜！这一殊荣既是对公司矢志创新、深耕研发的高度肯定，也标志着中科潞安在引领行业科技跨越的征程上再树里程碑。

中科潞安，国家级高新技术企业、专精特新“小巨人”，自诞生之日起便将“创新”写入基因——构建完善创新体系、持续加码研发投入，为技术突破与产品升级夯基垒土；更以“火种”之姿，通过技术交流、合作研发等方式与行业共享，带动整个紫外LED行业的智能化升级，彰显了民营科技企业的责任与担当。

荣誉加身，是肯定，更是起点。未来，中科潞安将以这份荣誉为新起点，继续秉持创新初心，深化产学研融合，在紫外LED技术领域持续深耕，为行业高质量发展注入澎湃“芯”动能。

关键词：

热浪KO！——长治高新区总工会为中科潞安送清凉

大流量水杀菌器守护全场景水质安全

推荐阅览

废水处理系统项目中标公示

2024-10-18

行业资讯

全球UVC LED芯片市场前10强生产商排名中科潞安排名第八

紫外LED一般指发光中心波长在405 nm以下的LED，LED业界通常将发光波长位于355～405 nm时称为近紫外LED，而短于280 nm时称为深紫外LED。目前在LED的研究和生产中用到最多的材料GaN的禁带宽度为3.4 eV，对应的发光波长为365 nm，刚好处于近紫外波段范围，因此，近紫LED中一般采用GaN作为基材。而深紫外LED通过在基材GaN中添加A l 扩大带隙，获得更短的发光波长。

2023-12-22

行业资讯

中科潞安刘乃鑫 | 紫外光通信用深紫外LED光源

近十年来，随着紫外固态器件的外延生长、制备工艺以及封装技术的快速发展，基于日盲区LED的紫外光通信光源凭借高带宽、易于携带、无毒环保的优点逐步取代了传统的汞灯、气体放电灯等光源。Micro-LED是新兴的工艺技术，它可以实现更大更均匀的注入电流密度，有利于研究大注入状态LED物理现象。特别是近几年，UVC Micro-LED在紫外光通信、显示等领域中展现出了广阔的应用前景，引起了人们的关注和研究热情。

2023-12-22